グラフェントランジスタ及び電子機器

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：眞鍋潔 , 柏谷昭司 , 渡邊弘一 , 伊藤壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008020277
Publication number (International publication number)：2009182173
Application date： Jan. 31, 2008
Publication date： Aug. 13, 2009
Summary：

【課題】グラフェントランジスタ及び電子機器に関し、グラフェン膜を用いたチャネル層の特性を各場所で最適化することにより、グラフェントランジスタの性能を向上する。【解決手段】一層以上のグラフェンからなる炭素膜12をキャリアが走行する能動領域とするとともに、前記能動領域を構成する前記炭素膜のキャリアの走行方向に垂直な方向の幅を場所によって変化させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一層以上のグラフェンからなる炭素膜をキャリアが走行する能動領域とするとともに、前記能動領域を構成する前記炭素膜のキャリアの走行方向に垂直な方向の幅が場所によって変化することを特徴とするグラフェントランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/06 , H01L 21/331 , H01L 29/737 , H01L 29/73 , H01L 29/786

FI (5)：

H01L29/06 601N , H01L29/72 H , H01L29/72 Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 618C

F-Term (46)：

5F003AZ03 , 5F003BB02 , 5F003BB04 , 5F003BB08 , 5F003BB90 , 5F003BC02 , 5F003BC04 , 5F003BC08 , 5F003BC90 , 5F003BE02 , 5F003BE04 , 5F003BE08 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BH01 , 5F003BH08 , 5F003BH99 , 5F003BJ15 , 5F003BM01 , 5F003BN01 , 5F110AA01 , 5F110AA12 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG23 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

グラファイト薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-064946 Applicant：新技術事業団, 菊地理恵, 大木芳正, 松井丈雄
グラファイト層の形成方法、該方法によって形成されたグラファイト層を有するX線光学素子及びX線光学素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-058732 Applicant：新技術事業団, 松井丈雄, 菊地理恵, 大木芳正

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