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J-GLOBAL ID:200903030845166783
分析装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
梶 良之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000115990
Publication number (International publication number):2001296264
Application date: Apr. 18, 2000
Publication date: Oct. 26, 2001
Summary:
【要約】【課題】 サンプル中の干渉成分の影響を除去して測定成分の濃度信号を求めることができる分析装置の構造を簡略化する。【解決手段】 ガス分析用の半導体センサ2の周囲にヒータ3、ペルチェ素子4を配置して、2つの異なる温度で半導体センサ2によりサンプルガスを測定する。半導体センサ2について予め2種類のゲイン(第1ゲインおよび第2ゲイン)と補正係数が求められている。そして、第1ゲインで調整済みの一方の濃度信号から第2ゲインで調整済みの他方の濃度信号を減算し、得られた数値に補正係数を乗算することでサンプルガス内のメタンの影響が排除された一酸化炭素の濃度信号が得られる。1つの半導体センサ2を用いるだけなので、小型で簡単な構成となる。
Claim (excerpt):
各検出素子が異なる設定条件に保持されていることによりサンプル内の測定成分および干渉成分の感度比が異なる、互いに同一構造を有する第1および第2の検出手段と、前記検出素子の設定条件を制御するための設定条件制御手段と、前記第1の検出手段の検出信号および前記第2の検出手段の検出信号に基づいて、干渉成分の影響を除去して測定成分の濃度信号を求めるための演算手段とを備えていることを特徴とする分析装置。
FI (2):
G01N 27/12 B
, G01N 27/12 D
F-Term (9):
2G046AA11
, 2G046BE05
, 2G046BE06
, 2G046DB05
, 2G046DC16
, 2G046DC17
, 2G046DC18
, 2G046FB02
, 2G046FE39
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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特開昭51-080293
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特開平2-307050
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特開昭51-080293
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特開平2-307050
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半導体ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-006110
Applicant:富士電機株式会社
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特開平2-052247
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特開平2-208550
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検知素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-345642
Applicant:エニリチェルヘ・ソシエタ・ペル・アチオニ, スナム・ソシエタ・ペル・アチオニ
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特開平4-086550
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