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J-GLOBAL ID:200903030874976840

透明導電性薄膜及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤村 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999090233
Publication number (International publication number):2000285737
Application date: Mar. 30, 1999
Publication date: Oct. 13, 2000
Summary:
【要約】【課題】 充分に結晶性が高く、移動度が高く、キャリア濃度が高い透明導電性薄膜等を提供する。【解決手段】 パルスレーザー蒸着法を用い、YSZ単結晶基板上に、In2O3、ZnO又はSnO2からなるキャリア生成層と、ドーパントを添加した、In2O3、ZnO又はSnO2からなるキャリア移動層と、を交互に積層して、透明導電性薄膜を製造する。
Claim (excerpt):
キャリア生成層とキャリア移動層とを交互に積層してなる薄膜であって、それぞれの層の界面における表面粗さが自乗平均平方根粗さRmsで10nm以下であることを特徴とする透明導電性薄膜。
IPC (5):
H01B 5/14 ,  B32B 7/02 104 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503
FI (5):
H01B 5/14 A ,  B32B 7/02 104 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503 B
F-Term (51):
2H090JA02 ,  2H090JB04 ,  2H090JC07 ,  2H090JC08 ,  2H090JD13 ,  2H092HA04 ,  2H092KA02 ,  2H092KA03 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  4F100AA17A ,  4F100AA17B ,  4F100AA25A ,  4F100AA25B ,  4F100AA27C ,  4F100AA28A ,  4F100AA28B ,  4F100AA33 ,  4F100AT00C ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA08 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100CA30B ,  4F100DD07 ,  4F100DD07A ,  4F100DD07B ,  4F100EH662 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11 ,  4F100JA20A ,  4F100JA20B ,  4F100JG01 ,  4F100JM02A ,  4F100JM02B ,  4F100JN01 ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 導電性薄膜
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-247612   Applicant:株式会社日立製作所
  • 透明導電膜
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-214893   Applicant:シャープ株式会社
  • 透明性導電膜およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-150009   Applicant:株式会社ニコン
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