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J-GLOBAL ID：200903031039179448

窒化ガリウム系半導体のp型電極およびその形成方法

Inventor： 久永 幸博 ,  仁道 正明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997189834
Publication number (International publication number)：1999040846
Application date： Jul. 15, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電極表面のAu層がp型コンタクト層内部に拡散するのを防止することにより、良好なコンタクト特性を有し、かつリードボンドやヒートシンクの融着に優れた窒化ガリウム系半導体のp型電極、及びこの電極を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 一般式Inx Aly Ga1-x-y N(x≧0、y≧0、x+y≦1)で表されるp型窒化ガリウム系半導体上に接して、Ni、Cr、Mgのそれぞれ単独からなる金属層、あるいはNi、Cr、Mgから選択される少なくとも1種以上を含む合金からなる金属層を有し、さらに該金属層の上にPt層を有し、さらに該Pt層の上にAuを含む金属層が積層された電極構造とする。

Claim (excerpt)：

一般式Inx Aly Ga1-x-y N(x≧0、y≧0、x+y≦1)で表されるp型窒化ガリウム系半導体上に接して、Ni、Cr、Mgのそれぞれ単独からなる金属層、あるいはNi、Cr、Mgから選択される少なくとも1種以上を含む合金からなる金属層を有し、さらに該金属層の上にPt層を有し、さらに該Pt層の上にAuを含む金属層が積層された構造を特徴とする窒化ガリウム系半導体のp型電極。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 B ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-221816   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-036250   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開昭63-181464
  
• 特開昭61-135120
  
• 特開昭55-085059