窒化物半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996036250
Publication number (International publication number)：1997036430
Application date： Feb. 23, 1996
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】発光出力が高く、発光スペクトルの半値幅が狭い窒化物半導体発光素子が提供する。【解決手段】活性層(15)を量子井戸構造とする。活性層(15)上に設けられるp型クラッド層96のうち、第1のp型クラッド層(96a)をアルミニウムとガリウムを含むp型窒化物半導体で形成し、第2のp型クラッド層(96b)を同様のp型窒化物半導体であるが、第1のp型クラッド層(96b)よりもバンドギャップの大きいもので形成する。

Claim (excerpt)：

第1の主面および第2の主面を有し、かつインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体を包含する量子井戸構造の活性層、該活性層の第1の主面上に設けられたn型窒化物半導体層、および第2の主面上に設けられたp型窒化物半導体層を有する半導体積層構造を備え、該n型半導体層は、該活性層の第1の主面に接して設けられ、かつインジウムとガリウムとを含むn型の窒化物半導体よりなる第1のn型クラッド層を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-157219 Applicant：日亜化学工業株式会社
3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-210076 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩

Show all

Return to Previous Page