Pat
J-GLOBAL ID:200903031074542695
パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004095976
Publication number (International publication number):2005005676
Application date: Mar. 29, 2004
Publication date: Jan. 06, 2005
Summary:
【課題】バンクの端部においても液滴を円滑に配置でき、所望のパターン形状を有する膜パターンを形成できるパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 本発明のパターンの形成方法は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターン33を形成する方法であって、基板上に膜パターン33に応じたバンクBを形成する工程と、バンクB、B間の溝部34の端部36、38に液滴を配置する工程と、端部36、38に液滴を配置した後、溝部34のうち端部36、38以外の位置に液滴を配置する工程とを有する。【選択図】 図4
Claim (excerpt):
機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、
前記基板上に所定のパターン形状でバンクを形成する工程と、
前記バンク間の溝部の端部に液滴を配置する工程と、
前記端部に液滴を配置した後、前記溝部のうち前記端部以外の位置に液滴を配置する工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法。
IPC (13):
H01L21/288
, B05D1/26
, G02F1/1343
, G02F1/1345
, G02F1/1368
, G09F9/00
, H01L21/28
, H01L21/3205
, H01L21/336
, H01L29/786
, H05B33/10
, H05B33/12
, H05B33/14
FI (14):
H01L21/288 Z
, B05D1/26 Z
, G02F1/1343
, G02F1/1345
, G02F1/1368
, G09F9/00 338
, H01L21/28 A
, H05B33/10
, H05B33/12 B
, H05B33/14 A
, H01L21/88 B
, H01L29/78 612D
, H01L29/78 616K
, H01L29/78 617J
F-Term (134):
2H092GA24
, 2H092GA32
, 2H092GA50
, 2H092GA59
, 2H092GA60
, 2H092HA06
, 2H092JA24
, 2H092JA28
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092JB21
, 2H092KA18
, 2H092KA20
, 2H092KB04
, 2H092KB06
, 2H092NA27
, 2H092RA10
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007FA01
, 3K007GA00
, 4D075AC06
, 4D075AC09
, 4D075AC88
, 4D075AC93
, 4D075AE03
, 4D075CA22
, 4D075CA36
, 4D075CA37
, 4D075CA47
, 4D075CB38
, 4D075DA04
, 4D075DA06
, 4D075DB01
, 4D075DB13
, 4D075DB14
, 4D075DB31
, 4D075DC19
, 4D075DC21
, 4D075DC24
, 4D075EA07
, 4D075EA10
, 4D075EA45
, 4D075EB13
, 4D075EB16
, 4D075EB22
, 4D075EB32
, 4D075EB39
, 4D075EB43
, 4D075EB49
, 4D075EC10
, 4M104AA10
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB28
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD22
, 4M104DD51
, 4M104DD79
, 4M104DD80
, 4M104DD81
, 4M104GG08
, 5F033GG03
, 5F033GG04
, 5F033HH00
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH28
, 5F033HH38
, 5F033HH40
, 5F033MM01
, 5F033PP26
, 5F033QQ00
, 5F033QQ09
, 5F033QQ25
, 5F033QQ53
, 5F033QQ73
, 5F033QQ82
, 5F033QQ83
, 5F033QQ96
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR27
, 5F033VV06
, 5F033VV15
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE05
, 5F110EE23
, 5F110EE42
, 5F110EE47
, 5F110FF03
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG44
, 5F110GG45
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK05
, 5F110HK09
, 5F110HK32
, 5F110HK34
, 5F110HK35
, 5F110HK41
, 5F110NN12
, 5F110NN24
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110QQ09
, 5G435AA17
, 5G435BB05
, 5G435BB06
, 5G435KK05
, 5G435KK10
, 5G435LL07
, 5G435LL08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
電気回路、その製造方法および電気回路製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-078149
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
積層型半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-017134
Applicant:セイコーエプソン株式会社
Cited by examiner (2)
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