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J-GLOBAL ID：200903031117979111
磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997155225
Publication number (International publication number)：1999003585
Application date： Jun. 12, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 保存時においては磁化安定性が高く、記録時においては弱い磁界でも磁化反転し消費電力が小さく、安定した記録再生ができ、高集積化が可能な磁性薄膜メモリ素子を提供する。【解決手段】 基板上に、膜面内の一方向に磁化配向しており低い保磁力を有する第1磁性層と、膜面内の一方向に磁化配向しており高い保磁力を有する第2磁性層が非磁性層を介して積層され、第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化が平行の時は低い抵抗値を示し、反平行の時は高い抵抗値を示す磁気抵抗素子であって、外部磁界が0の時に第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化は反平行状態を示し、第1磁性層、第2磁性層およびこれらに接して設けられた第3磁性層により非磁性層を囲むように閉磁路が構成され、第3磁性層のキュリー温度が第1磁性層および第2磁性層のキュリー温度より低い磁性薄膜メモリ素子。
Claim (excerpt)：
基板上に、主に膜面内の一方向に磁化配向しており低い保磁力を有する第1磁性層と、主に膜面内の一方向に磁化配向しており高い保磁力を有する第2磁性層が非磁性層を介して積層され、第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化が平行の時は低い抵抗値を示し、反平行の時は高い抵抗値を示す磁気抵抗素子であって、外部磁界が0の時に第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化は反平行状態を示し、第1磁性層、第2磁性層およびこれらに接して設けられた第3磁性層により非磁性層を囲むように閉磁路が構成され、第3磁性層のキュリー温度が第1磁性層および第2磁性層のキュリー温度より低いことを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
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薄膜磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-300681
Applicant：株式会社東芝
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特開平1-136947
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磁性薄膜メモリおよびその記録方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-234539
Applicant：三菱電機株式会社
Article cited by the Patent：
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