薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを用いた液晶表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊田善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995115320
Publication number (International publication number)：1996018064
Application date： Apr. 18, 1995
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】ゲート絶縁膜として良好な性質を有する二酸化シリコンを用い、且つ基板側からの半導体層のチャネル領域へ光が入射するのを防止した薄膜トランジスタを構成する。【構成】石英基板101上に多結晶シリコン層108、二ケイ化一タングステン層107、多結晶シリコン層109を形成してゲート電極102とし、該ゲート電極102表面を熱酸化して二酸化シリコン層を形成し、ゲート絶縁膜103とした後、上部に多結晶シリコン層104を設け、必要なドーピングを行なってソース/ドレイン領域、チャネル領域を形成してなる薄膜トランジスタ。

Claim (excerpt)：

透明基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル及びソース、ドレイン領域からなる半導体層とを順に設けてなる電界効果型の薄膜トランジスタであって、上記ゲート電極が少なくともシリコン層とケイ化金属層の2層からなり、上記ゲート絶縁膜の少なくともチャネルと接する領域が二酸化シリコン膜からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-176389 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開昭58-218169
特開平4-360582

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