半導体素子の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994218743
Publication number (International publication number)：1996083894
Application date： Sep. 13, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】表面に異常析出した鉛又は鉛酸化物を除去することができ、誘電体薄膜表面を均一化でき、かつ、安定化させることができる誘電体薄膜の表面の特性を向上させ得る半導体素子の製造方法を提供する。【構成】半導体記憶装置の電荷蓄積層の形成において、基材上に鉛を構成元素とする誘電体薄膜16を形成し、その後、希硝酸水による処理と過酸化水素水による処理とを順に施す。

Claim (excerpt)：

(a)基材上に鉛を構成元素とする誘電体薄膜を形成し、(b)その後、希硝酸水による処理と過酸化水素水による処理とを順に施すことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/314 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-198933 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
電子部品の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-021855 Applicant：ティーディーケイ株式会社
特開平2-280114

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