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J-GLOBAL ID:200903031205613810

半導体レーザユニット

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 早川 政名 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997008486
Publication number (International publication number):1998209491
Application date: Jan. 21, 1997
Publication date: Aug. 07, 1998
Summary:
【要約】【課題】光源用のLDチップと信号読取用の受光素子を一つのパッケージ内に配置すると共に、部品点数の削減と組み立て工程の簡素化をさらに促進し、光応用機器のさらなる小型軽量化、低価格化に対応可能な半導体レーザユニットを提供する。【解決手段】リードフレーム3が、ベースとなるアイランド4と端子となるリードピン5を備える。アイランド4にLDチップ1と受光素子2を搭載した後、リードピン5との電気的接続(ワイヤボンディング7)を行い、しかる後リードフレーム3をモールド金型にインサートして樹脂モールドを行う。該樹脂モールドによって、アイランド4に対するリードピン5の固定・絶縁、リードピン5相互の絶縁、アイランド4を覆うカバー8bの成形・取り付けが同時になされる。
Claim (excerpt):
光源用のレーザダイオードチップと信号読取用の受光素子を一つのパッケージ内に配置してなる半導体レーザユニットであって、アイランドと、該アイランドの周囲に多指配列状に形成される複数のリードピンとを備えたリードフレームを基材とし、前記アイランドに上記レーザダイオードチップと受光素子を搭載すると共に、該レーザダイオードチップと受光素子を各々所定のリードピンに対して電気的に接続せしめ、且つ前記アイランドに対する夫々のリードピンの固定及び絶縁と、該アイランドの上面周囲を囲むカバーの成形とを樹脂モールドによりなすことを特徴とする半導体レーザユニット。
IPC (2):
H01L 31/12 ,  G11B 7/125
FI (2):
H01L 31/12 F ,  G11B 7/125 A
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 特開昭60-081877
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-342979   Applicant:シャープ株式会社
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-227144   Applicant:三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
Cited by examiner (2)
  • 特開昭60-081877
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-342979   Applicant:シャープ株式会社

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