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J-GLOBAL ID：200903031205613810

半導体レーザユニット

Inventor： 坊野 憲司 ,  高田 勇
Applicant, Patent owner： 株式会社秩父富士
Agent (1)： 早川 政名 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997008486
Publication number (International publication number)：1998209491
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】光源用のLDチップと信号読取用の受光素子を一つのパッケージ内に配置すると共に、部品点数の削減と組み立て工程の簡素化をさらに促進し、光応用機器のさらなる小型軽量化、低価格化に対応可能な半導体レーザユニットを提供する。【解決手段】リードフレーム3が、ベースとなるアイランド4と端子となるリードピン5を備える。アイランド4にLDチップ1と受光素子2を搭載した後、リードピン5との電気的接続(ワイヤボンディング7)を行い、しかる後リードフレーム3をモールド金型にインサートして樹脂モールドを行う。該樹脂モールドによって、アイランド4に対するリードピン5の固定・絶縁、リードピン5相互の絶縁、アイランド4を覆うカバー8bの成形・取り付けが同時になされる。

Claim (excerpt)：

光源用のレーザダイオードチップと信号読取用の受光素子を一つのパッケージ内に配置してなる半導体レーザユニットであって、アイランドと、該アイランドの周囲に多指配列状に形成される複数のリードピンとを備えたリードフレームを基材とし、前記アイランドに上記レーザダイオードチップと受光素子を搭載すると共に、該レーザダイオードチップと受光素子を各々所定のリードピンに対して電気的に接続せしめ、且つ前記アイランドに対する夫々のリードピンの固定及び絶縁と、該アイランドの上面周囲を囲むカバーの成形とを樹脂モールドによりなすことを特徴とする半導体レーザユニット。

IPC (2)：

H01L 31/12 ,  G11B 7/125

FI (2)：

H01L 31/12 F ,  G11B 7/125 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-081877
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-342979   Applicant：シャープ株式会社