プローブ及びプローブの製造方法、プローブアレイ及びプローブアレイの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000115825
Publication number (International publication number)：2001208672
Application date： Apr. 11, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】高効率かつ高分解能のプローブアレイ又は単一プローブであって、先端部分の寸法精度を向上させ、各突起部の高さを一定に制御する。【解決手段】光透過性を有するSi突起部3と、基板2よりも屈折率が高いSiからなり、ガラス基板2上に形成された複数のSi突起部3とを備え、ガラス基板2から光を入射して、各Si突起部3の先鋭部分で近接場光又は伝搬光(近接場光でない光)又は両方を発生させる。光透過性を有するガラス基板2と、SiからなるSOIウエハ、SOIウエハ上に積層されたSiO2層と、SiO2層上に積層されたSi支持基板からなるSOI基板と、を陽極接合により接合し、SOI基板に含まれるSi支持基板を除去し、SiO2層をパターニングし、SOIウエハをエッチングし、パターニングされたSiO2層を除去して、ガラス基板2上にSiからなる複数のSi突起部3を備えるプローブアレイ1を作製する。

Claim (excerpt)：

光透過性を有する基板と、上記基板上に形成され、上記基板よりも屈折率が高い材料からなる突起部とを備え、上記突起部は、上記基板からの光を入射して、先端部分で近接場光、或いは伝搬光、或いは近接場光及び伝搬光の両方を発生させることを特徴とするプローブ。

IPC (8)：

G01N 13/14 , G01N 13/10 , G11B 7/135 , G11B 7/22 , G12B 21/06 , G01B 11/30 , G01R 1/073 , G01R 31/302

FI (8)：

G01N 13/14 B , G01N 13/10 G , G11B 7/135 A , G11B 7/22 , G01B 11/30 Z , G01R 1/073 F , G12B 1/00 601 C , G01R 31/28 L

F-Term (18)：

2F065AA49 , 2F065DD16 , 2F065GG15 , 2F065JJ26 , 2F065LL03 , 2F065PP24 , 2G011AA16 , 2G011AA21 , 2G011AB00 , 2G011AD02 , 2G011AF07 , 2G032AF02 , 2G032AF07 , 2G032AL03 , 5D119AA11 , 5D119AA43 , 5D119JA34 , 5D119NA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

光プローブ素子、光プローブ素子を用いた記録再生装置、および光プローブ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-121710 Applicant：シャープ株式会社
近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの加工方法および光記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-066489 Applicant：株式会社日立製作所
プローブアレイ及びプローブアレイの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-326169 Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー, 株式会社リコー

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

High Density/Speed Optical Near-field Recording/Reading with a Pyramidal Silicon Probe Array
High Density/Speed Optical Near-field Recording/Reading with a Pyramidal Silicon Probe Array

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