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J-GLOBAL ID：200903031275003440
酸素終端(111)ダイヤモンド上におけるp型表面伝導層の製造方法。
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005154777
Publication number (International publication number)：2006332387
Application date： May. 27, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：
【課題】(111)ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜上におけるp型表面伝導層の製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、p型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
エピタキシャル(111)ダイヤモンド表面を、酸素終端したことを特徴とするp型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンド。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (11)：
5F045AA08
, 5F045AA09
, 5F045AB07
, 5F045AC07
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AE23
, 5F045AE25
, 5F045AF02
, 5F045BB16
, 5F045HA11
Cited by examiner (1)
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薄膜ガスセンサ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-139341
Applicant：株式会社神戸製鋼所, 新コスモス電機株式会社
Article cited by the Patent：
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