酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた半導体素子基板及び光起電力素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸島儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997021466
Publication number (International publication number)：1998140373
Application date： Nov. 14, 1996
Publication date： May. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】電析による酸化亜鉛薄膜の形成を安定化し、かつ基板密着性に優れた製造方法を提供する。特に、光起電力素子の光閉じ込め層に適用するのに好適な酸化亜鉛薄膜とする。【解決手段】基体上にスパッタ法により第1の酸化亜鉛薄膜を形成する工程と、少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液に前記基体を浸漬し、該溶液中に浸漬された電極との間に通電することにより、第2の酸化亜鉛薄膜を前記第1の酸化亜鉛薄膜上に形成する工程とを有することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

基体上にスパッタ法により第1の酸化亜鉛薄膜を形成する工程と、少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液に前記基体を浸漬し、該溶液中に浸漬された電極との間に通電することにより、第2の酸化亜鉛薄膜を前記第1の酸化亜鉛薄膜上に形成する工程とを有することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。

IPC (5)：

C23C 28/04 , C23C 14/08 , C25D 9/04 , H01L 21/203 , H01L 31/04

FI (5)：

C23C 28/04 , C23C 14/08 H , C25D 9/04 , H01L 21/203 S , H01L 31/04 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

酸化亜鉛膜作製用電解液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-023775 Applicant：大阪市, 奥野製薬工業株式会社
酸化亜鉛膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-067394 Applicant：大阪市, 奥野製薬工業株式会社
特許第3368176号

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