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J-GLOBAL ID：200903031359255037

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 山川 聡 ,  中畑 匠
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998012726
Publication number (International publication number)：1999214684
Application date： Jan. 26, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 所望の動作速度を有するMOSトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 p型ウェル7にn型拡散配線層8が形成されている。そのn型拡散配線層8上に、ソース領域としてのn+ 型選択シリコンエピタキシャル成長層12、チャネル領域としてのp- 型選択シリコンエピタキシャル成長層13およびドレイン領域としてのn+ 型選択シリコンエピタキシャル成長層23が積層されている。そのp- 型選択シリコンエピタキシャル成長層13の側面にのみゲート絶縁膜18を介してゲート電極19が形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主表面上に形成された第1導電型の第1不純物層と、前記第1不純物層上に積層された第2導電型の第2不純物層と、前記第2不純物層上に積層された第1導電型の第3不純物層と、前記第2不純物層の側面上にのみ絶縁層を介在させて形成された導電層とを備えた、半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3)：

H01L 29/78 653 B ,  H01L 27/08 321 G ,  H01L 29/78 301 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-063095   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-046066   Applicant：株式会社リコー