半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995063099
Publication number (International publication number)：1996264531
Application date： Mar. 22, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】電極及び配線の構造を改良し、半導体装置の信頼性向上とRC遅延の低減を図る。【構成】MOSFETのゲート電極は、反応障壁層である窒化タングステン膜111を挟んで配設された、多結晶ケイ素膜102と高融点金属膜であるタングステン膜112とを含む。タングステン膜112は、これに対して熱膨張係数の近い絶縁膜である窒化ケイ素膜109に囲まれる。まず、底部が多結晶ケイ素膜102で、側部が窒化ケイ素膜109からなる溝が形成され、そして、同溝内に窒化タングステン膜111及びタングステン膜112が埋め込まれる。これにより、自己整合的に多結晶ケイ素膜102、窒化タングステン膜111及びタングステン膜112の積層構造からなる電極が形成される。

Claim (excerpt)：

高融点金属膜を含む配線及び電極が高融点金属膜に対し熱膨張係数の近い絶縁膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/88 R , H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 Q , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-027551
特開平3-027551
半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-207000 Applicant：ソニー株式会社

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