強誘電体膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997043839
Publication number (International publication number)：1998242404
Application date： Feb. 27, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】信頼性、特性にすぐれた強誘電体膜キャパシタやそれを用いた半導体記憶装置を得る。【解決手段】強誘電体物質の原料であるゾルゲル溶液を基板上に塗布したあと、真空中に保持して溶媒を除去してから熱処理を行って架橋反応を生じさせる。また、塗布後に酸素と反応しない第1の温度で熱処理後、第1の温度より高温の熱処理で架橋反応を生じさせる。また、塗布直後の熱処理は酸素を含まない雰囲気で処理する。

Claim (excerpt)：

強誘電体物質を構成する材料と溶媒を含むゾルゲル溶液を基板上に塗布する工程と、前記基板を真空中に保持して溶媒を除去したあと熱処理を行って、架橋反応を生じさせる工程とを含むことを特徴とする強誘電体膜の形成方法。

IPC (9)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/314 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/314 A , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特表平7-502149
誘電体薄膜の製造方法および該製造方法によって作製された誘電体薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-143243 Applicant：シャープ株式会社
電子デバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-102511 Applicant：三菱電機株式会社

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