オゾン酸化絶縁膜を使用した磁気トンネル素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998323333
Publication number (International publication number)：2000150984
Application date： Nov. 13, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】酸素及びオゾンを含む混合気中で金属アルミニウムを酸化させることにより、得られた酸化膜にダメージを与えることがなく、またオゾンによる十分な酸素を酸化膜成膜時に膜に供給して欠陥が少ない絶縁膜を作製し、MRAMアレイに使用可能な磁気トンネル素子を提供する。【解決手段】保磁力が相互に異なる硬磁性膜5及び軟磁性膜7と両者間に介在する絶縁膜6とを有する磁気トンネル素子8において、絶縁膜6はAl膜を酸素及びオゾンの混合気中で酸化させることにより形成する。

Claim (excerpt)：

保磁力が相互に異なる硬磁性膜及び軟磁性膜と、両者間に介在する絶縁膜とを有する磁気トンネル素子において、前記絶縁膜は酸素及びオゾンの混合気中で酸化されたものであることを特徴とするオゾン酸化絶縁膜を使用した磁気トンネル素子。

IPC (2)：

H01L 43/08 , G11B 5/39

FI (2)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39

F-Term (3)：

5D034BA03 , 5D034BA15 , 5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気抵抗効果素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-319254 Applicant：三洋電機株式会社
積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-078702 Applicant：株式会社東芝
被処理体の処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-310129 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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