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J-GLOBAL ID：200903031808507950

窒化物系III-V族化合物半導体装置

Inventor： 寺口 信明 ,  鈴木 彰
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998008201
Publication number (International publication number)：1999204778
Application date： Jan. 20, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 2次元電子ガス用いた窒化物系化合物半導体装置では、十分移動度の高いものは得られていなかった。【解決手段】 本発明の窒化物系III-V族化合物半導体装置では、基板上方にチャネル層を有し、前記チャネル層で2次元電子ガスを用いた半導体デバイスにおいて、チャネル層がInNを含む層にすることによって、移動度の大きいものが得られた。

Claim (excerpt)：

基板上方にチャネル層を有し、前記チャネル層で2次元電子ガスを用いた半導体デバイスにおいて、チャネル層がInNを含む層であることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化物系化合物半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-170541   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-146563   Applicant：ソニー株式会社
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-104609   Applicant：ソニー株式会社