磁気抵抗素子及び磁気抵抗メモリ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金田暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999110050
Publication number (International publication number)：2000307170
Application date： Apr. 16, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】小さな印加磁界で動作する微細化可能な磁気抵抗素子及び磁気抵抗メモリの提供。【解決手段】少なくとも磁性層/非磁性層/磁性層の膜構成からなる多層膜であって、該二つの磁性層の保磁力が異なっており、共に膜面法線方向に磁気異方性を有し、大きな保磁力を有する磁性層の保磁力が、小さな保磁力を有する磁性層の磁化飽和磁界よりも大きく、該磁性層の少なくとも一方がガドリニウムと遷移金属を主成分とすることを特徴とする磁気抵抗素子及び磁気抵抗メモリ。

Claim (excerpt)：

少なくとも磁性層/非磁性層/磁性層の膜構成からなる多層膜であって、該二つの磁性層の保磁力が異なっており、共に膜面法線方向に磁気異方性を有し、大きな保磁力を有する磁性層の保磁力が、小さな保磁力を有する磁性層の磁化飽和磁界よりも大きく、該磁性層の少なくとも一方がガドリニウムとFe、Co及びNiから選択された1種以上の遷移金属を主成分とすることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (2)：

H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (2)：

H01L 43/08 Z , G11C 11/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁性メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-302425 Applicant：日本ビクター株式会社
磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗効果センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-290307 Applicant：日本電気株式会社
磁性薄膜メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-181393 Applicant：三菱電機株式会社

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