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J-GLOBAL ID:200903031896422802

精密パターンの形成方法及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 若林 邦彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999277712
Publication number (International publication number):2001096882
Application date: Sep. 30, 1999
Publication date: Apr. 10, 2001
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 にじみやだれがなく、解像性に優れる精密パターンの形成方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】 粘度が1〜1000Pas、チキソトロピー係数が1.5〜20である樹脂ペーストを印圧制御しつつ印刷する。樹脂ペーストのノズルからの吐出速度を樹脂ペーストに印加する気体の圧力変化させることにより調整しつつ基板上に塗布して精密パターンの形成する。樹脂ペーストを基板上に塗布する工程A及び印刷された樹脂ペーストを加熱乾燥する工程Bを含み、工程A及び工程Bを複数回繰り返し、精密パターンを形成して半導体装置を製造する。
Claim (excerpt):
粘度が1〜1000Pas、チキソトロピー係数が1.5〜20である樹脂ペーストを印圧制御しつつ印刷することを特徴とする精密パターンの形成方法。
IPC (3):
B41M 1/12 ,  B41F 15/40 ,  H05K 3/10
FI (3):
B41M 1/12 ,  B41F 15/40 B ,  H05K 3/10 D
F-Term (41):
2C035AA06 ,  2C035FD32 ,  2C035FD52 ,  2H113AA04 ,  2H113BA01 ,  2H113BA03 ,  2H113BA05 ,  2H113BA10 ,  2H113BB08 ,  2H113BB09 ,  2H113BB10 ,  2H113BB22 ,  2H113BC00 ,  2H113BC12 ,  2H113CA17 ,  2H113DA53 ,  2H113DA56 ,  2H113DA60 ,  2H113DA63 ,  2H113EA02 ,  2H113EA04 ,  2H113EA06 ,  2H113EA09 ,  2H113EA10 ,  2H113EA12 ,  2H113FA29 ,  2H113FA35 ,  2H113FA36 ,  2H113FA52 ,  2H113FA54 ,  5E343AA02 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB72 ,  5E343DD14 ,  5E343DD33 ,  5E343FF05 ,  5E343GG08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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