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J-GLOBAL ID：200903031920735868

積層セラミックコンデンサとその製造方法

Inventor：
岸 弘志

About 岸 弘志

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茶園 広一

About 茶園 広一

, 
静野 寿光

About 静野 寿光


Applicant, Patent owner：
太陽誘電株式会社

About 太陽誘電株式会社


Agent (1)： 窪田 法明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000037544
Publication number (International publication number)：2001230149
Application date： Feb. 16, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：
【要約】【課題】 積層セラミックコンデンサの小型大容量化のために誘電体層を薄層化させ、誘電体層の積層数を増加させて行くと、1層当たりの電界強度が大きくなり、内部電極間で絶縁破壊が生じ易くなり、積層セラミックコンデンサの寿命が短くなり、積層セラミックコンデンサの電気的特性に対する信頼性が低下するという問題があった。【解決手段】 複数の誘電体層と複数の内部電極とを一体的に積層してなり、該誘電体層がセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミック粒子は、コア部と、該コア部を囲繞するシェル部とからなる積層セラミックコンデンサにおいて、該シェル部にMn,V,Cr,Co,Fe,Ni,Cu及びMoから選択された1種又は2種以上のアクセプタ型元素、Mg及び希土類元素(Ho,Sc,Y,Gd,Dy,Er,Yb,Tb,Tm,Lu)が含ませ、該シェル部に含まれている該アクセプタ型元素の濃度をコア・シェル境界から粒界側に向かって高くなるようにした。
Claim (excerpt)：
複数の誘電体層と複数の内部電極とを一体的に積層してなり、該誘電体層はセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミック粒子は、コア部と、該コア部を囲繞するシェル部とからなり、該シェル部にはMn,V,Cr,Co,Fe,Ni,Cu及びMoから選択された1種又は2種以上のアクセプタ型元素、Mg及び希土類元素(Ho,Sc,Y,Gd,Dy,Er,Yb,Tb,Tm,Lu)が含まれ、該シェル部に含まれている該アクセプタ型元素の濃度がコア・シェル境界から粒界側に向かって高くなっていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
IPC (2)：
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364
FI (2)：
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364
F-Term (15)：
5E001AB03 ,  5E001AC04 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF00 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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