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J-GLOBAL ID：200903031967382360

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 奥 保成 ,  亀井 英徳
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998142681
Publication number (International publication number)：1999340505
Application date： May. 25, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 動作電圧を更に一層低減できるとともに発光出力を高くし得る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を得て屋外用ディスプレイ装置等への最適化を図ることを目的とする。【解決手段】 基板1の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層3と発光層4とp型クラッド層4とを順に積層し、p型クラッド層4は、禁制帯幅が発光層4に近い側から離れる側に向けて収斂するように、窒化ガリウム系化合物半導体の組成配分を層厚方向にほぼ一様な変化率または不連続な変化率で変化させて形成する。

Claim (excerpt)：

基板の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層と発光層とp型クラッド層とを順に積層した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記p型クラッド層は、禁制帯幅が前記発光層に近い側から離れる側に向けて収斂するように、窒化ガリウム系化合物半導体の組成配分を層厚方向に変化させてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-098230   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-199390   Applicant：富士通株式会社