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J-GLOBAL ID：200903099792279726

半導体発光素子

Inventor： 上村 信行 ,  石橋 明彦 ,  粂 雅博 ,  伴 雄三郎 ,  武石 英見
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996098230
Publication number (International publication number)：1997289351
Application date： Apr. 19, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低抵抗のp型オーミックコンタクト接触を実現し、しきい値電圧が従来より低い、Nを含有するIII-V族化合物より構成される半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型SiC(0001)基板上に作製された、Nを含有するIII-V族化合物より構成されるダブルヘテロ構造の上に、p型コンタクト層としてp型のGa0.9In0.1Nよりなるクラッド層を形成する。そうすることにより、p型コンタクト層と電極金属との間の価電子帯のポテンシャルバリアが低減し、従来より低いしきい値電圧が実現する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板と、前記サファイア基板上に積層された、Nを含むIIIーV族化合物より成るダブルヘテロ構造と、前記ダブルヘテロ構造の上に積層されたp型の導電性を有する、Ga1-xInxN(0≦x≦1)から構成されるコンタクト構造を有することを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-233179   Applicant：ローム株式会社
• 薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-055962   Applicant：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305257   Applicant：旭化成工業株式会社
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-033659   Applicant：住友化学工業株式会社