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J-GLOBAL ID：200903088988699292

半導体レーザ

Inventor： 倉又 朗人
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996199390
Publication number (International publication number)：1998051070
Application date： Jul. 29, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】 短波長光の発振に適したGaN系半導体を用いた半導体レーザに関し、p型電極のコンタクト抵抗が低いGaN系半導体レーザを提供することである。【解決手段】 GaNを少なくとも成分として含むGaN系半導体を用い、活性層、n型クラッド層、p型クラッド層を含むレーザ構造と、前記p型クラッド層上に形成され、p型InNまたはp型Inx Ga1-x N(x>0.2)で形成されたp型コンタクト層とを有する。

Claim (excerpt)：

GaNを少なくとも成分として含むGaN系半導体を用い、活性層、n型クラッド層、p型クラッド層を含むレーザ構造と、前記p型クラッド層上に形成され、p型InNまたはp型Inx Ga1-x N(x>0.2)で形成されたp型コンタクト層とを有する半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-233179   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-291038   Applicant：富士通株式会社
• II-VI族化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-031528   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-098230   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-070027   Applicant：シャープ株式会社