半導体圧力センサ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995213593
Publication number (International publication number)：1997061270
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、圧力や温度変化によるセンサ信号のドリフトやヒステリシスを無くして安定でかつ圧力を高精度に検出して信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板20及び各歪みセンサ22、23上に、SiO層24、SiN層25、PSG層26及びポリシリコン層27の各層を互いに残留応力をキャンセルする厚さに形成する。

Claim (excerpt)：

一方の面に空洞が形成された半導体材料により成るダイヤフラムの他方の面に歪みセンサを形成し、かつこれらダイヤフラムの他方の面及び前記歪みセンサ上に少なくとも導電層及び前記歪みセンサの信号取出し部を形成した半導体圧力センサにおいて、少なくとも前記ダイヤフラムの他方の面と導電層との間に前記導電層の残留応力をキャンセルする応力を持つ厚さの絶縁層、を形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (3)：

G01L 9/04 101 , G01L 19/04 , H01L 29/84

FI (3)：

G01L 9/04 101 , G01L 19/04 , H01L 29/84 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ダイアフラム構造用の熱絶縁膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-284506 Applicant：松下電工株式会社
薄膜体ブリッジ構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-038111 Applicant：松下電工株式会社

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