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J-GLOBAL ID：200903031998141859

半導体基板表面の酸化膜の形成処理方法

Inventor：
小松 雄爾

About 小松 雄爾


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997228185
Publication number (International publication number)：1999067756
Application date： Aug. 25, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板の酸化膜の形成処理方法において、半導体基板1と第2酸化膜7の界面での界面準位密度を低下させ、界面特性を一層向上させる。【解決手段】 第2酸化膜7の形成後、酸化触媒機能を有する金属薄膜6を除去した後、厚さ1〜10000nmアルミニウム薄膜9を形成し、酸化雰囲気でない雰囲気中(例えば高純度窒素と水素を含む雰囲気中)で25〜600°Cの温度で第2の熱処理を行う。
Claim (excerpt)：
半導体基板表面に酸化膜を形成するのに際し、半導体基板上に厚さ0.1〜1.5nmの範囲の第1酸化膜を形成し、次いで、前記第1酸化膜上に酸化触媒機能を有する金属簿膜を厚さ1〜30nmの範囲で形成し、しかる後に、600°C以下の温度でかつ酸化雰囲気中で第1熱処理を行って第2酸化膜を形成し、引き続いて、この第1熱処理後に、酸化雰囲気でない雰囲気中において、600°C以下の温度で第2の熱処理を行うことを特徴とする半導体基板表面の酸化膜の処理方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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