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J-GLOBAL ID:200903032011685387
ケミカルメカニカルポリシングの操作をインシチュウでモニタするための装置及び方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996074976
Publication number (International publication number):1997007985
Application date: Mar. 28, 1996
Publication date: Jan. 10, 1997
Summary:
【要約】【課題】 研磨プロセスに関して正確性を向上し更に有用な情報を与えるために用いる事ができる終点の検出器及び方法を提供する。【解決手段】 基板上の層の均一性を、係る層の研磨の最中にインシチュウで測定する方法である。この方法は、:研磨中にレーザービームを層へ向けるステップと;光ビームの基板からの反射されることにより発生する干渉信号をモニタするステップと;この干渉信号から均一性の尺度を計算するステップとを備えている。
Claim (excerpt):
ウエハに対してケミカルメカニカルポリシング(CMP)を行うための装置であって、(a)研磨スラリによってウェットとなっている研磨パッドをその上に有する、回転可能な研磨プラーテンと、(b)研磨パッドに対してウエハを保持するための、回転可能な研磨ヘッドであって、このウエハが酸化物層の下の半導体基板を備える、前記研磨ヘッドと、(c)終点検出器であって、前記終点検出器は、(c1)ウエハへ向けてレーザービームを発生させることが可能であり、且つ、ウエハから反射されてくる光を検出することが可能な、レーザー干渉計と、(c2)該プラーテンの中に形成されたホール(穴)に近接して配置されるウィンドウであって、前記ウィンドウは、ウエハが前記ウィンドウの上にある時は、周期時間の少なくとも一部の間にレーザービームをウエハへ入射させるための通路を与える、前記ウィンドウとを備える前記終点検出器と、を備える装置。
IPC (3):
H01L 21/304 321
, B24B 37/00
, B24B 49/12
FI (3):
H01L 21/304 321 E
, B24B 37/00 F
, B24B 49/12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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ウエハ研磨方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-217987
Applicant:住友金属鉱山株式会社
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特開平2-196906
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研磨過程モニタ装置及びそのモニタ方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-313021
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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