Pat
J-GLOBAL ID：200903032015289923

デュアルダマシン配線の形成方法

Inventor：
池田 真義

About 池田 真義


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998363555
Publication number (International publication number)：2000188330
Application date： Dec. 21, 1998
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 エッチング工程において層間絶縁膜のエッチング残りに起因して配線内に異物が残存することがなく、配線不良を生じることがないデュアルダマシン配線の形成方法を提供する。【解決手段】 下層導体層21上に層間絶縁膜22を形成し、この層間絶縁膜22上にビアホールパターン31の開口を有するレジスト膜23を形成する。そして、このレジスト膜23をマスクとして層間絶縁膜22をエッチングしてビアホール32を形成し、ホール32内を層間絶縁膜よりもエッチング速度が速い材料で埋め込むことにより埋込膜24を形成する。その後、埋込膜22上に配線溝パターン33の開口を有するレジスト膜25を形成し、このレジスト膜25をマスクとして埋込膜24及び層間絶縁膜22をエッチングして層間絶縁膜22に配線溝34を形成する。
Claim (excerpt)：
下層導体層上に層間絶縁膜を形成する工程と、この層間絶縁膜上にホールパターンの開口を有する第1レジスト膜を形成する工程と、前記第1レジスト膜をマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングしてホールを形成する工程と、前記ホールを前記層間絶縁膜よりもエッチング速度が速い材料で埋め込むことにより埋込膜を形成する工程と、前記埋込膜上に配線溝パターンの開口を有する第2レジスト膜を形成する工程と、この第2レジスト膜をマスクとして前記埋込膜及び層間絶縁膜をエッチングして前記層間絶縁膜に配線溝を形成する工程と、を有することを特徴とするデュアルダマシン配線の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065
FI (2)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/302 J
F-Term (31)：
5F004AA03 ,  5F004AA11 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA26 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033TT01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-311384   Applicant：新日本製鐵株式会社
  • 配線形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-151481   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-345630   Applicant：株式会社東芝

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM