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J-GLOBAL ID：200903032029416642

拡散障壁層およびこれを含む半導体デバイス

Inventor： スティーブン・アラン・コーエン ,  ティモシー・ジョーゼフ・ドールトン ,  ジョン・アンソニー・フィッツシモンズ ,  ステファン・マッコーネル・ゲイツ ,  リン・エム・ギグナック ,  ポール・チャールズ・ジャミソン ,  カンウク・リー ,  サンパス・プルショサマン ,  ダリル・ディー・レスタイノ ,  エヴァ・シモニー ,  ホレイショー・シーモア・ワイルドマン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (1)： 坂口 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001033679
Publication number (International publication number)：2001274250
Application date： Feb. 09, 2001
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】 拡散障壁層を含む半導体デバイスを提供すること。【解決手段】 半導体デバイスは、少なくとも、導電性金属要素を含む半導体基板と、この導電性金属要素に接触して基板の少なくとも一部に付着された拡散障壁層であって、上面および下面および中央部分を有し、ケイ素、炭素、窒素、および水素から形成され、この窒素が拡散障壁層の全体にわたって不均一に分布している拡散障壁層とを含む。このため、拡散障壁層の中央部分に比べて拡散障壁層の下面および上面付近での窒素の濃度がより高い。この半導体デバイスを作製する方法も提供される。

Claim (excerpt)：

半導体デバイス用の拡散障壁層であって、上面および下面および中央部分を有し、ケイ素、炭素、窒素、および水素を含み、前記窒素が拡散障壁層の全体にわたって不均一に分布している拡散障壁層。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 絶縁膜ならびにその絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-148017   Applicant：日本電気株式会社
• 銅相互接続構造および形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-097400   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 炭化ケイ素の金属拡散障壁層
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-012429   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション