超伝導素子、それを用いた中性子検出装置及び超伝導素子の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (5)：三枝英二 , 舘泰光 , 眞下晋一 , 松本公雄 , 立花顕治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004101498
Publication number (International publication number)：2005286245
Application date： Mar. 30, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：

【課題】良好な超伝導特性の経時劣化を防止することができる超伝導素子、それを用いた中性子検出装置及び超伝導素子の製造方法を提供すること。【解決手段】誘電体材料で形成された基板(1)と、基板上(1)にメアンダ形状に形成された超伝導材料のストリップライン(2)と、ストリップライン(2)の表面に形成された保護膜(3)と、導電材料の電極(4、4’)とを備え、ストリップライン(2)を形成する超伝導材料が自然酸化によって超伝導特性が劣化する材料である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

誘電体材料で形成された基板と、該基板上に形成された超伝導材料のストリップラインと、該ストリップラインの表面に形成された保護膜とを備え、前記超伝導材料が、自然酸化によって超伝導特性が劣化する材料であることを特徴とする超伝導素子。

IPC (4)：

H01L39/00 , C01G1/00 , G01T1/26 , G01T3/00

FI (4)：

H01L39/00 Z , C01G1/00 S , G01T1/26 , G01T3/00 G

F-Term (23)：

2G088FF09 , 2G088GG22 , 2G088GG25 , 2G088JJ01 , 2G088JJ09 , 2G088JJ31 , 2G088JJ35 , 2G088JJ37 , 2G088KK40 , 4G047JA04 , 4G047JC16 , 4G047KE05 , 4G047KE06 , 4G047KG01 , 4G047LA07 , 4G047LB10 , 4M113AC44 , 4M113AD36 , 4M113AD63 , 4M113BA04 , 4M113BA08 , 4M113BC01 , 4M113CA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

超伝導材料の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-356802 Applicant：独立行政法人通信総合研究所
超伝導材料の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-356803 Applicant：独立行政法人通信総合研究所
超伝導体を用いた光子及び放射線及び中性子の検出法及びその2次元イメージング法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-195150 Applicant：日本原子力研究所, 独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (5)

超電導部材及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-254080 Applicant：株式会社東芝
超電導デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-277477 Applicant：株式会社日立製作所
超伝導単光子検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-221971 Applicant：シュルンベルジェテクノロジーズ,インコーポレーテッド, ユニヴァーシティーオブロチェスター

Show all

Return to Previous Page