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J-GLOBAL ID：200903032093074216

発光ダイオード及びその製造方法

Inventor： 海野 恒弘 ,  今野 泰一郎 ,  柴田 憲治
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 川澄 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001142601
Publication number (International publication number)：2002344019
Application date： May. 14, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】電流分散膜として透明導電膜を用いた発光ダイオードを製造する際に、透明導電膜からの電極剥がれを起こさない構造とする。【解決手段】スプレー法を用いて、又はウエットエッチング、ドライエッチング、サンドブラスト、研磨などにより、ITOの透明導電膜7の表面に5nm以上で200nm以下の凹凸を形成する。

Claim (excerpt)：

第一導電型基板上に、半導体のp型層とn型層のヘテロ構造または活性層をp型とn型のクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を持つ発光部を形成し、その上に透明導電膜を形成し、その表面と裏面側に金属電極を形成し、透明導電膜側から光を取り出す発光ダイオードにおいて、表面に5nm以上で200nm以下の凹凸を形成した透明導電膜を有することを特徴とする発光ダイオード。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/43

FI (2)：

H01L 33/00 E ,  H01L 29/46 H

F-Term (21)：

4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB11 ,  4M104BB36 ,  4M104DD24 ,  4M104DD51 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  5F041AA25 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA64 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• AlGaInP系発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-216403   Applicant：信越半導体株式会社
• 導体付き基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-129696   Applicant：旭硝子株式会社
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-344489   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭64-056538