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J-GLOBAL ID：200903032098572745

加熱処理装置

Inventor：
白川 英一

About 白川 英一


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001000244
Publication number (International publication number)：2002203779
Application date： Jan. 04, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 基板の面内温度均一性を高くして基板を加熱処理することができる加熱処理装置を提供すること。【解決手段】 基板Wを所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、基板Wを近接または載置して加熱処理する加熱プレート51と、加熱プレート51の基板配置面に対向して設けられ、加熱プレート51に面する部分が同心状に少なくとも中央に配置された第1の領域71とその外側に配置された第2の領域72とを有し、これら第1および第2の領域71をそれぞれ含むヒートパイプ73を有する天板63と、加熱プレート51と天板63との間の空間Sを囲繞する囲繞部材62と、加熱プレート51の外周から天板63の中央に向かう気流を空間S内に形成する気流形成手段66,67と、天板63のヒートパイプ73の温度を制御して第1の領域71の温度を制御する温度制御機構80と、第2の領域72を加熱する加熱機構75とを具備する。
Claim (excerpt)：
基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面に基板を近接または載置して加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの基板配置面に対向して設けられ、前記加熱プレートに面する部分が少なくとも第1の領域と第2の領域を有する天板と、前記天板の第1の領域の温度を制御する温度制御機構と、前記天板の第2の領域を加熱する加熱機構とを具備し、前記第1の領域は基板の相対的に温度の高い領域に対応し、前記第2の領域は基板の相対的に温度の低い領域に対応し、前記温度制御機構は、前記第1の領域の温度を前記第2の領域の温度よりも所定温度低くなるように制御し、前記加熱機構は、前記第2の領域を前記加熱プレート上の基板のそれと対応する部分の温度に応じて所定温度に加熱することを特徴とする加熱処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/027 ,  F28D 15/02 ,  G03F 7/38 511 ,  H05B 3/00 310 ,  H05B 3/00 370 ,  H05B 3/20 330
FI (6)：
F28D 15/02 K ,  G03F 7/38 511 ,  H05B 3/00 310 D ,  H05B 3/00 370 ,  H05B 3/20 330 ,  H01L 21/30 567
F-Term (30)：
2H096AA25 ,  2H096DA01 ,  2H096FA01 ,  2H096GB01 ,  2H096GB10 ,  2H096HA01 ,  3K034AA02 ,  3K034AA16 ,  3K034AA19 ,  3K034AA21 ,  3K034AA34 ,  3K034AA37 ,  3K034BB02 ,  3K034BB14 ,  3K034DA01 ,  3K034FA16 ,  3K034HA01 ,  3K034HA10 ,  3K034JA10 ,  3K058AA86 ,  3K058BA00 ,  3K058CA23 ,  3K058CA92 ,  3K058CE13 ,  3K058CE19 ,  3K058CE23 ,  3K058GA03 ,  3K058GA06 ,  5F046KA04 ,  5F046KA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)

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