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J-GLOBAL ID：200903032207204689

薄膜アブレーション加工方法及び装置

Inventor：
藤田 雅之

About 藤田 雅之

, 
吉門 章

About 吉門 章


Applicant, Patent owner：
財団法人レーザー技術総合研究所

About 財団法人レーザー技術総合研究所

, 
東洋精密工業株式会社

About 東洋精密工業株式会社


Agent (1)： 鎌田 文二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000364983
Publication number (International publication number)：2002160079
Application date： Nov. 30, 2000
Publication date： Jun. 04, 2002
Summary：
【要約】【課題】 超短パルスレーザ光の照射による薄膜のアブレーション加工の際に蒸散する薄膜の微粒子によるレーザ光への妨げをなくし、多光子吸収により透明基板と薄膜のバンドギャップ差を利用した高精度のアブレーション加工を実現する。【解決手段】 パターン加工を施すため支持ステージ7上に支持された透明基板10上に薄膜11を成膜した被対象物Aに対し、薄膜11の背面から基板10を透過させて超短パルスレーザ光を照射するため、超短パルスレーザ1からのレーザ光を伝送、照射する光学系のうち少なくとも集光レンズ6を背面に配置し、薄膜11をアブレーション加工するのに適したレーザ光を照射して薄膜を高精度でアブレーション加工する。
Claim (excerpt)：
透明基板上に成膜された薄膜に対し、この薄膜をアブレーション加工する超短パルスでかつ薄膜に選択的に吸収される波長のレーザ光を基板側から入射させ、基板を透過したレーザ光を薄膜に照射して照射部分をアブレーション加工する薄膜アブレーション加工方法。
IPC (6)：
B23K 26/00 ,  H01L 21/302 ,  H01S 3/00 ,  H01J 9/02 ,  H05K 3/08 ,  B23K101:42
FI (6)：
B23K 26/00 H ,  H01S 3/00 B ,  H01J 9/02 F ,  H05K 3/08 D ,  B23K101:42 ,  H01L 21/302 Z
F-Term (29)：
4E068AC00 ,  4E068CA03 ,  4E068CA11 ,  4E068DA11 ,  4E068DB10 ,  4E068DB13 ,  4E068DB14 ,  5C027AA01 ,  5E339AA01 ,  5E339AB02 ,  5E339AB05 ,  5E339BC01 ,  5E339BC05 ,  5E339BD03 ,  5E339BD05 ,  5E339BD11 ,  5E339BE05 ,  5E339DD03 ,  5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004BB03 ,  5F004CA05 ,  5F004DB13 ,  5F004EA38 ,  5F004EB02 ,  5F072AB20 ,  5F072RR01 ,  5F072SS08 ,  5F072YY06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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