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J-GLOBAL ID：200903032286234857

磁気トンネル素子及びその製造方法

Inventor： 菅原 淳一 ,  中塩 栄治 ,  熊谷 静似 ,  池田 義人
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998263695
Publication number (International publication number)：2000099922
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 トンネル電流が確実に流れ、安定的な磁気トンネリング効果を発現する。【解決手段】 第1の磁性層と、上記第1の磁性層上に形成され、高周波誘導結合方式により生成された酸素プラズマにより金属膜を酸化させてなるトンネル障壁層と、上記トンネル障壁層上に形成された第2の磁性層とを備えるものである。

Claim (excerpt)：

第1の磁性層と、上記第1の磁性層上に形成され、高周波誘導結合方式により生成された酸素プラズマにより金属膜を酸化させてなるトンネル障壁層と、上記トンネル障壁層上に形成された第2の磁性層とを備えることを特徴とする磁気トンネル素子。

F-Term (3)：

5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-277156   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置、並びに容量素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-349147   Applicant：株式会社日立製作所
• シリコン酸化膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-265898   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-025118   Applicant：セイコーエプソン株式会社