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J-GLOBAL ID：200903032301925721

プラズマCVD装置

Inventor： 松井 孝幸 ,  大音 光市 ,  宇佐美 達矢 ,  土屋 善昭 ,  石川 重男
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000050247
Publication number (International publication number)：2001244257
Application date： Feb. 25, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】SiF4 ガスとNH3 ガスを同一ガス配管にてチャンバーに導入すると、配管内にNH3 とSiF4 の反応物が生成され配管つまりが起きる。【解決手段】同一チャンバーでSiN膜とSiOF膜を連続して成膜するプラズマCVD装置のガス配管のレイアウトとして、SiF4 ガスとNH3 ガスを別々のガス配管にてチャンバーへ導入するか、またはSiF4 ガス配管とNH3 ガス配管にそれぞれ別々のバルブが設置されているSiF4 ガス配管およびNH3 ガス配管が合流する手前でそれぞれ別々のバルブを持ち、それらSiF4 ガス配管に設置されたバルブとNH3 ガス配管に設置されたバルブとチャンバー間にバルブを持ち、その空間を単独に、真空置換及びN2 加圧を繰り返し実施できる構造とする。

Claim (excerpt)：

同一チャンバー内でシリコン窒化膜とフッ素含有シリコン酸化膜を形成するプラズマCVD装置において、シリコン窒化膜の原料ガスの一部としてNH3 ガスを導入するNH3 ガス配管と、フッ素含有シリコン酸化膜の原料ガスの一部としてSiF4 ガスを導入するSiF4 ガス配管を別々にシャワーヘッド兼上部電極に接続したことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205

F-Term (28)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB13 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC12 ,  5F045BB14 ,  5F045CB05 ,  5F045DC51 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE01 ,  5F045EE04 ,  5F045EF05 ,  5F045EF09 ,  5F045EH11 ,  5F045EH14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開昭63-302523
  
• FSG膜のギャップ充填能及び膜安定性向上のための装置及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-294397   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマCVD装置及び酸化膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-306864   Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社
• 高純度ガス配管系のバルブ開閉チェック方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-061920   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開昭64-047872