FSG膜のギャップ充填能及び膜安定性向上のための装置及び方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997294397
Publication number (International publication number)：1998144683
Application date： Oct. 27, 1997
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】良好なギャップ充填能と高い膜安定性を有するFSGを提供する方法。【解決手段】本発明の方法の一具体例では、プロセスガスからプラズマを生成して、プロセスチャンバ内の基板上に弗素ドープシリコン酸化物層を堆積させる。このプロセスガスは、珪素と、酸素と、フッ素含有ソースと、弗素スカベンジャソースとを含んでいる。好ましい具体例では、プロセスガスは、SiF4で与えられる弗素と、テトラエチルオルソシリケート(TEOS)で与えられる珪素とを含んでいる。また別の具体例では、弗素スカベンジャソースはアンモニア(NH3)であり、酸素含有ソースはO2であり、プラズマは温度約325〜450°C、圧力約3〜7トールで生成する。

Claim (excerpt)：

半導体処理チャンバにおいてギャップ充填能の良好な安定的な絶縁層を基板上に堆積する方法であって、珪素と、酸素と、弗素と、弗素スカベンジャとを含むプロセスガスを前記チャンバ内に導入するステップと、前記プロセスガスからプラズマを生成し、前記基板上にフルオロシリケートガラス(FSG)膜を堆積するステップとを有するプロセス。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/316 X , H01L 21/31 C , H01L 21/90 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

フルオロケイ酸塩ガラス層を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-255352 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, 株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-097631 Applicant：ソニー株式会社
フッ素添加二酸化ケイ素膜の成膜法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-529575 Applicant：ラムリサーチコーポレイション

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