位相シフトマスクおよびマスクの修正方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992163039
Publication number (International publication number)：1993323571
Application date： Jun. 22, 1992
Publication date： Dec. 07, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】透過率低下のない又は透過率の低下したマスクを回復させる修正方法を提供する。さらに位相シフタの凹状欠陥を局所堆積によって修正し、エッチング終点の検出が容易で高精度の修正を実現する。【構成】 FIBアシストエッチングにより凸状欠陥4を除去し、凹状欠陥領域を所望の深さまで掘る。位相シフタがシリコンあるいはシリコン化合物の場合ガスとしてフッ素、塩素あるいは臭素を含むガスを用いる。有機物膜であるときガスとしてO2,O3,NOあるいはNO2を用いる。スパッタエッチングを用いて欠陥を除去した後、ダメージ層をXeF2ガスを用いたイオンアシストエッチングで除去する。凹状欠陥内に、10kev以下の集束イオンビームを用いてシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を堆積して修正する。溶融石英基板表面にシフタ構成元素とは異なるイオン注入層を形成し、さらにこの上層に位相シフタを形成したものを用いる。

Claim (excerpt)：

透光性基板と、前記透光性基板上に配設され、前記透光性基板を透過する光に対して所定の位相差を形成する位相シフタを備えた位相シフトマスクの欠陥を修正するに際し、集束イオンビームと反応性ガスとを用いたFIBアシストエッチングによりマスク上の凸状欠陥を除去するとともに、位相シフタの凹状欠陥領域を所望の深さまで掘るようにしたことを特徴とするマスクの修正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P , H01L 21/30 311 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平1-280759
特開平4-000449
特開平4-155339

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