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J-GLOBAL ID：200903032356405581

二次元的に配置された量子素子及びその製造方法

Inventor： 山下 一郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998017819
Publication number (International publication number)：1999204774
Application date： Jan. 14, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 常温で安定に作動し、現実に単電子トランジスタや単電子メモリとしして生産可能な量子素子を提供すること。【解決手段】 絶縁体の一平面上に直径dが5〜7nmの複数の金属原子凝集体Dからなる量子ドットが11〜14nmのピッチで2次元的に配置されている量子ドットを紫外線以上のエネルギービームあるいは紫外線+加熱によりパターン化して形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁体の一平面上に直径dが5〜10nmの複数の原子集合体とその周りを有機物で覆われたから複合粒子が二次元的に配置された後、有機物を紫外線の照射または紫外線の照射と熱処理により分解して得られることを特徴とする量子ドット。

IPC (8)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/368 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 51/00 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/86

FI (7)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/368 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/86 F ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 A