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J-GLOBAL ID:200903032395013232
半導体装置用複合基板およびこれを用いた半導体装置
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000072208
Publication number (International publication number):2001267450
Application date: Mar. 15, 2000
Publication date: Sep. 28, 2001
Summary:
【要約】【課題】 製造コストの低減を実現しながらも絶縁基板と金属基板とを電気的に接続する導体ワイヤの長さを短縮できる半導体装置用複合基板とこれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁基板1の上方主表面が絶縁金属基板6の上方主表面よりも上方に配置され、この方向から見て、絶縁基板1と絶縁金属基板6とが部分的に重なり合い、かつ両主表面が連続した領域として観察されるように、絶縁基板1と絶縁金属基板6とを支持体7により一体化して、導体ワイヤ12の長さを短縮する。
Claim (excerpt):
絶縁体および前記絶縁体の主表面に形成された制御回路用パターンを有する絶縁基板と、金属板および前記金属板の第1主表面に絶縁層を介して形成された主回路用パターンを有し、前記金属板の第2主表面が露出している絶縁金属基板と、前記制御回路用パターンと前記主回路用パターンとが同一側に配置され、かつ前記同一側と反対側から前記金属板の第2主表面が露出するように、前記絶縁基板および前記絶縁金属基板を一体化する支持体と、を備えた半導体装置用複合基板であって、前記制御回路用パターンおよび前記主回路用パターンが配置されている側を上方として、前記制御回路用パターンが前記主回路用パターンよりも上方に位置し、前記絶縁基板の一部が前記絶縁金属基板と部分的に重なり合うように、前記絶縁基板と前記絶縁金属基板とが配置されていることを特徴とする半導体装置用複合基板。
IPC (2):
FI (3):
H01L 23/12 J
, H01L 23/14 M
, H01L 23/14 R
Patent cited by the Patent: