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J-GLOBAL ID:200903032427454600

ポリイミドフィルム及びフレキシブル基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田治米 登 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998314186
Publication number (International publication number):2000151046
Application date: Nov. 05, 1998
Publication date: May. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】 フレキシブル基板に適したポリイミドフィルムと、その上にドライプロセスにより形成される金属薄膜との間の密着性を向上させ、同時に熱履歴の内容によらずカールの発生を抑制する。【解決手段】 導体層上に絶縁層が配設されてなるフレキシブル基板の当該絶縁層を構成するためのポリイミドフィルムを、第1ポリイミド層1、第2ポリイミド層2及び第3ポリイミド層3の3層構造とし、第2ポリイミド層2として導体と略同一の熱線膨張係数を有するものを使用し、導体層に接する側に配設する第1ポリイミド層1をスルホン基含有ポリイミドから構成する。
Claim (excerpt):
導体層上に絶縁層が配設されてなるフレキシブル基板の当該絶縁層を構成するためのポリイミドフィルムであって、第1ポリイミド層、第2ポリイミド層及び第3ポリイミド層の3層構造を有し、それらの中央に位置する第2ポリイミド層は導体層と略同一の熱線膨張係数を有し、導体層に接する側に配設される第1ポリイミド層がスルホン基含有ポリイミドから構成されているポリイミドフィルム。
IPC (7):
H05K 1/03 630 ,  H05K 1/03 610 ,  B32B 15/08 ,  B32B 27/34 ,  C08G 73/10 ,  C08J 7/04 CFG ,  C08L 79:08
FI (7):
H05K 1/03 630 E ,  H05K 1/03 610 N ,  B32B 15/08 R ,  B32B 15/08 J ,  B32B 27/34 ,  C08G 73/10 ,  C08J 7/04 CFG E
F-Term (73):
4F006AA39 ,  4F006AB73 ,  4F006BA01 ,  4F006BA06 ,  4F006DA01 ,  4F100AB01E ,  4F100AB16E ,  4F100AB17E ,  4F100AK49A ,  4F100AK49B ,  4F100AK49C ,  4F100AK55A ,  4F100AK55C ,  4F100AR00D ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA06 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA10D ,  4F100BA10E ,  4F100BA16 ,  4F100BA26 ,  4F100EH66E ,  4F100EH71E ,  4F100EJ531 ,  4F100GB43 ,  4F100JA02A ,  4F100JA02B ,  4F100JA02C ,  4F100JA02D ,  4F100JG01D ,  4F100JG01E ,  4F100JK06 ,  4F100JL04 ,  4F100JL11 ,  4F100JM02E ,  4F100YY00B ,  4J043PA04 ,  4J043PA19 ,  4J043QB15 ,  4J043QB26 ,  4J043QB31 ,  4J043RA35 ,  4J043SA06 ,  4J043SB03 ,  4J043TA22 ,  4J043TB01 ,  4J043UA121 ,  4J043UA122 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UA632 ,  4J043UA652 ,  4J043UA662 ,  4J043UA672 ,  4J043UB121 ,  4J043UB131 ,  4J043UB152 ,  4J043UB221 ,  4J043UB301 ,  4J043UB302 ,  4J043UB402 ,  4J043VA011 ,  4J043VA021 ,  4J043VA022 ,  4J043VA031 ,  4J043VA041 ,  4J043VA062 ,  4J043ZA31 ,  4J043ZA35 ,  4J043ZB50
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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