半導体光素子及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000051138
Publication number (International publication number)：2001244566
Application date： Feb. 28, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】作製コストの低減や歩留まりを向上させることの可能な半導体光素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】第1導電型の基板1上に、活性層6と、第2導電型の光閉じ込め層8と、電極11とがこの順で形成された半導体光素子において、光閉じ込め層を、ストライプ状の電流注入窓層8bと、電流注入窓層の両側に形成され電流注入窓層より電気抵抗の高い電流ブロック層8aと、から構成する。前記電極からの電流が、電流ブロック層により狭窄されて電流注入窓層より前記活性層に注入される。

Claim (excerpt)：

第1導電型の基板上に、活性層と、第2導電型の光閉じ込め層と、電極とがこの順で形成された半導体光素子において、前記光閉じ込め層が、ストライプ状の電流注入窓層と、該電流注入窓層の両側に形成され電流注入窓層より電気抵抗の高い電流ブロック層と、から成り、前記電極からの電流が、電流ブロック層により狭窄されて電流注入窓層より前記活性層に注入されることを特徴とする半導体光素子。

F-Term (8)：

5F073AA07 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073BA01 , 5F073CA15 , 5F073CB19 , 5F073DA14 , 5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ装置,およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-088556 Applicant：三菱電機株式会社
半導体レーザ,及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-227888 Applicant：三菱電機株式会社
リッジ型半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-041933 Applicant：三菱電機株式会社

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