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J-GLOBAL ID：200903052995079947

半導体レーザ装置,およびその製造方法

Inventor：
永井 豊

About 永井 豊


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996088556
Publication number (International publication number)：1997283839
Application date： Apr. 10, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：
【要約】【課題】 窓構造領域において水平方向の光閉じ込めが行われず、非点隔差が生じていた。【解決手段】 第1導電型半導体基板1の上に順次結晶成長された第1導電型下クラッド層2、活性層3、第2導電型第1上クラッド層4と、この第2導電型第1上クラッド層4の上に形成され、ストライプ状開口を有する第1の絶縁膜5と、この第1の絶縁膜5のストライプ状開口部分7に選択成長されたリッジストライプ形状の第2導電型第2上クラッド層10と、この第2導電型第2上クラッド層10の側面部と上記第1の絶縁膜5の上部に形成された第2の絶縁膜13とを備え、活性層3におけるレーザ共振器端面近傍には、レーザ光を発する活性領域よりもバンドギャップエネルギーが高い窓構造領域を有する構成とした。
Claim (excerpt)：
第1導電型半導体基板の上に順次配置された第1導電型下クラッド層、活性層、第2導電型第1上クラッド層と、この第2導電型第1上クラッド層の上に形成され、ストライプ状開口を有する第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜のストライプ状開口部分に選択成長されたリッジストライプ形状の第2導電型第2上クラッド層と、この第2導電型第2上クラッド層の側面部と上記第1の絶縁膜の上部に形成された第2の絶縁膜とを備え、上記活性層におけるレーザ共振器端面近傍には、レーザ光を発する活性領域よりもバンドギャップエネルギーが高い窓構造領域を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (18)
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