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J-GLOBAL ID：200903084527028862
垂直共振器型半導体レーザ素子およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995280612
Publication number (International publication number)：1997129962
Application date： Oct. 27, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】 従来の技術と比較して低閾値で高効率、かつ歩留りにおいて極めて優れた積層集積垂直共振器型半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 活性層と、該活性層を挟む一対のスペーサ層と、該一対のスペーサ層を挟む一対の半導体多層膜反射鏡と、少なくても活性層が構成する平面上の閉領域を囲む領域が高抵抗化された電流狭窄領域とを具備した積層構造体が半導体基板上に形成された垂直共振器型半導体レーザ素子およびその製造方法において、積層構造体は第1の積層構造部と第2の積層構造部とからなり、第1の積層構造部は第1回目の結晶成長によって形成され、かつ活性層が含まれる。また、第1の積層構造部へイオン注入することによって電流狭窄領域を設けた後に第1の積層構造部上に再結晶成長することによって第2の積層構造部が形成される。
Claim (excerpt)：
活性層と、該活性層を挟む一対のスペーサ層と、該一対のスペーサ層を挟む一対の半導体多層膜反射鏡と、少なくても前記活性層が構成する平面上の閉領域を囲む領域が高抵抗化された電流狭窄領域とを具備した積層構造体が半導体基板上に形成された垂直共振器型半導体レーザ素子の製造方法において、前記活性層が含まれた第1の積層構造部を前記基板上に形成する第1の結晶成長工程と、該第1の積層構造部へイオン注入することによって前記電流狭窄領域を設けるイオン注入工程と、前記電流狭窄領域を形成した後に、前記第1の積層構造部上に第2の積層構造部を形成する第2の結晶成長工程とを有し、さらに、前記積層構造体は前記第1の積層構造部と前記第2の積層構造部とからなることを特徴とする垂直共振器型半導体レーザ素子の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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