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J-GLOBAL ID：200903032435764376

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

Inventor：
吉川 功

About 吉川 功


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996071605
Publication number (International publication number)：1997260662
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：
【要約】【課題】ノンパンチスルー(NPT)型IGBTの漏れ電流を低減する。【解決手段】nベース層1のpコレクタ領域8に近い部分に短寿命領域7を形成する。短寿命領域7としては、n型不純物の拡散層や、結晶欠陥層、重金属の拡散層等が利用できる。
Claim (excerpt)：
定格電圧の印加時に、高比抵抗の第一導電型半導体層と第二導電型ベース領域間のpn接合から第二導電型コレクタ領域に向かって第一導電型半導体層中に広がる空間電荷領域が第一導電型半導体層全体を充たさないノンパンチスルー(NPT)型絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、第一導電型半導体層の第二導電型コレクタ領域に近い部分に、少数キャリアの寿命が第一導電型半導体層のそれよりも短い短寿命領域が形成されていることを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 29/78 655 B ,  H01L 21/322 G ,  H01L 29/78 658 H
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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