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J-GLOBAL ID：200903032438273683

発光装置

Inventor：
幸田 滋嗣

About 幸田 滋嗣


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002242107
Publication number (International publication number)：2003142737
Application date： Aug. 22, 2002
Publication date： May. 16, 2003
Summary：
【要約】【課題】 色むらの少ない均一な発光、例えば白色光を高出力で得る。【解決手段】 基面(10)上には半導体発光素子(11)を囲んでリフレクター部(14)を透明樹脂材料を用いて形成し、リフレクター部の内面はその高さ方向の少なくとも下方部が基面又はその近傍の高さから斜め外上方に向けて延びる断面ほぼ円弧凹状をほぼ全周にわたって連続させた曲面形状となし、リフレクター部には半導体発光素子からの発光によって励起されて発光する蛍光物質を分散する。
Claim (excerpt)：
少なくとも発光の一部を側方端面から発する半導体発光素子と、半導体発光素子と離間して配置された蛍光部材とを備え、蛍光部材は、半導体発光素子から発光される光の一部を吸収して他の光に変換して発光可能であって、Y,Lu,Sc,La,Gd及びSmの群から選択される少なくとも1つの元素と、Al,Ga及びInの群から選択される少なくとも1つの元素と、少なくともCeとともに、Pr,Sm,Cu,Ag,Au,Fe,Cr,Nd,Dy,Ni,Ti,Tb及びEuの群から選択される少なくとも1つの元素とを有するイットリウムアルミニウムガーネット系蛍光物質を少なくとも構成部材として含み、蛍光部材は、半導体発光素子から第1距離に位置する第1部位と、第1距離より遠い位置にある第2部位とを有し、第1部位は、第2部位と比べて半導体発光素子からの発光の吸収率が高いことを特徴とする発光装置。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/80 CPM
FI (3)：
H01L 33/00 N ,  C09K 11/08 J ,  C09K 11/80 CPM
F-Term (41)：
4H001CA05 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA20 ,  4H001XA21 ,  4H001XA31 ,  4H001XA38 ,  4H001XA39 ,  4H001XA49 ,  4H001XA57 ,  4H001XA62 ,  4H001XA64 ,  4H001XA71 ,  4H001YA24 ,  4H001YA26 ,  4H001YA28 ,  4H001YA29 ,  4H001YA47 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA60 ,  4H001YA62 ,  4H001YA63 ,  4H001YA65 ,  4H001YA66 ,  4H001YA79 ,  4H001YA81 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041DA07 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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