半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999273418
Publication number (International publication number)：2000082849
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】発光波長が極めて安定で、しかも、可視光から赤外線領域までの種々の波長において高い輝度で発光させることができる半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】波長変換機能を有する蛍光物質を半導体発光素子の内部、表面、または、半導体発光装置の樹脂部分または、その他の外囲器の表面または内部に適宜、混合、堆積、または配置することによって、半導体発光素子からの発光をきわめて高い効率で波長変換し、外部に取り出すことができる半導体発光素子および発光装置を提供することができる。

Claim (excerpt)：

第1の波長の光を放出する発光層と、前記発光層が放出する前記第1の波長の光を吸収して前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を放出する蛍光物質と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

FI (3)：

H01L 33/00 N , H01L 33/00 C , H01L 33/00 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-338114 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
発光ダイオード及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-201310 Applicant：日亜化学工業株式会社
蛍燐光体変換-エレメント付き半導体発光素子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-502117 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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