素子間配線

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：和泉良彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001269834
Publication number (International publication number)：2003077923
Application date： Sep. 06, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】直径がナノメータ(nm)の極微細スケールでありながら、長さは制限を受けない構造を持ち、非常に高い機械的強度を有し、その電気伝導特性は構造や直径に応じて金属的にも半導体的にもなるカーボンナノチューブを用いて微細な素子間の配線を形成する。【解決手段】基板(4)上に形成した2個以上複数の微細な素子(2)同士の間を、基板(4)に接触しない状態で中空に張った形のカーボンナノチューブ(1)を用いて電気的に結合した素子間配線を形成する。また、基板上に絶縁層を形成して、絶縁層上に形成した2個以上複数の微細な素子同士の間を、絶縁層上を這わせた形のカーボンナノチューブを用いて電気的に結合した素子間配線とすることもできる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成した2個以上の複数の微細な素子同士の間を、上記基板に接触しない状態で中空に張った形のカーボンナノチューブを用いて電気的に結合してなることを特徴とする素子間配線。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 23/52 , H01L 23/538

FI (3)：

H01L 21/88 M , H01L 23/52 A , H01L 23/52 D

F-Term (11)：

5F033HH00 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH19 , 5F033LL01 , 5F033MM04 , 5F033MM17 , 5F033PP06 , 5F033RR30 , 5F033XX03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-305512 Applicant：キヤノン株式会社
半導電性シート
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-235083 Applicant：東海ゴム工業株式会社
ナノスケール導電性コネクタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-215599 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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