3-5族化合物半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995170774
Publication number (International publication number)：1997023026
Application date： Jul. 06, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】バンド端発光を利用した高い発光効率を有する発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるバンドギャップの異なる少なくとも2つの層を含む化合物半導体が積層されてなる発光素子であって、該サファイアの基板面とC面とのなす角が5度未満であり、バンド端発光によることを特徴とする3-5族化合物半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるバンドギャップの異なる少なくとも2つの層を含む化合物半導体が積層されてなる発光素子であって、該サファイアの基板面とC面とのなす角が5度未満であり、バンド端発光によることを特徴とする3-5族化合物半導体発光素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 27/12 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 27/12 S , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-013393 Applicant：シャープ株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-100215 Applicant：日亜化学工業株式会社

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