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J-GLOBAL ID：200903032548078754

炭素膜及びその形成方法並びに炭素膜被覆物品及びその製造方法

Inventor： 村上 泰夫 ,  中東 孝浩 ,  竹内 上
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999172130
Publication number (International publication number)：2000096233
Application date： Jun. 18, 1999
Publication date： Apr. 04, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 従来の炭素膜に比べると潤滑性に富み、物品へ密着性良好に形成できる炭素膜及びその形成方法を提供する。また、かかる炭素膜が密着性良く被覆された炭素膜被覆物品及びその製造方法を提供する。【解決手段】 フッ素及び水素を含有する炭素膜であり、FT-IR(フーリエ変換赤外線)分光分析によるスペクトルにおいて、C-F結合に由来する1000cm-1〜1300cm-1のピーク面積(IR・C-F)とC-H結合に由来する2800cm-1〜3100cm-1のピーク面積(IR・C-H)との比(IR・C-F)/(IR・C-H)が0より大きく、且つ、XPS(X線光電子分光分析)によるスペクトルにおいて、F1Sに由来するピーク強度とC1Sに由来するピーク強度との比(F1S/C1S)が0より大きく3より小さい炭素膜5及びこの炭素膜で被覆された物品S。

Claim (excerpt)：

フッ素及び水素を含有する炭素膜であり、FT-IR(フーリエ変換赤外線)分光分析によるスペクトルにおいて、C-F結合に由来する1000cm-1〜1300cm-1のピーク面積(IR・C-F)とC-H結合に由来する2800cm-1〜3100cm-1のピーク面積(IR・C-H)との比(IR・C-F)/(IR・C-H)が0より大きく、且つ、XPS(X線光電子分光分析)によるスペクトルにおいて、F1Sに由来するピーク強度とC1Sに由来するピーク強度との比(F1S/C1S)が0より大きく3より小さいことを特徴とする炭素膜。

IPC (5)：

C23C 16/26 ,  B01J 19/08 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04

FI (5)：

C23C 16/26 A ,  B01J 19/08 H ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 薄膜形成方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-264177   Applicant：日本電気株式会社
• 機械部品等の物品及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-221133   Applicant：日新電機株式会社
• 特開昭61-124573
  
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-045561   Applicant：日新電機株式会社
• 炭素膜形成のためのプラズマCVD法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-030622   Applicant：日新電機株式会社
• 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-121047   Applicant：株式会社ゼクセル
• 特開平3-240957
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Wear Resistant Fluorinated Diamondlike Carbon Films