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J-GLOBAL ID:200903032563755614

外部で発生させたイオンを四極子型イオントラップへ注入する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 竹内 澄夫 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1998506005
Publication number (International publication number):1999513183
Application date: Jul. 08, 1997
Publication date: Nov. 09, 1999
Summary:
【要約】連続イオンソースから、バッファガスで満たした四極子型イオントラップへの、広い質量電荷範囲にわたるイオン収集の方法。イオンビームが、外部イオンソースから、周波数イオントラップへ、累積時間の所定の周期の間、ゲートデバイスを通じて向けられ、ビームをトラップに入れる。無線周波数電圧をトラップに印加すりことにより、イオンが、質量範囲にわたってトラップされる。所定の質量範囲にわたるイオンの一様なトラップ効率を達成するために、無線周波数電圧の振幅が、断熱的に変化される。累積時間の所定の周期は、複数のセグメントに分割され、無線周波数電圧の振幅は、各々のセグメント内で断熱的に変化する。
Claim (excerpt):
イオンの導入及びトラップの方法であって、(a) バッファガスとともに無線周波数(RF)イオントラップを与える工程、(b) 外部イオンソースから、連続したイオンビームを発生させる工程、(c) 前記イオンビームを前記イオントラップに入れることができるように、一累積時間の所定の周期の間、ゲートデバイスを通じて、戦記RFイオントラップに前記ビームを向ける工程、(d) 質量の範囲にわたってイオンをトラップするための主RFトラップ場を形成するために、RF電圧を前記イオントラップに印加する工程、及び(e) 所定の質量範囲にわたって前記イオンビームのイオンのための一様なトラップ効率を達成するために、前記RF電圧の振幅を断熱的に変化させる工程、を含む方法。
IPC (2):
H01J 49/42 ,  H01J 49/26
FI (2):
H01J 49/42 ,  H01J 49/26
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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